項(xiàng)目以實(shí)現(xiàn)極大規(guī)模集成電路(GLSI)多層布線表面的高平整度、低粗糙度、低缺陷密度和高潔凈度為目標(biāo)，以130-65nm及其以下的超大規(guī)模集成電路CMP材料與工藝為主攻方向，開(kāi)展具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多種CMP拋光材料與CMP后清洗劑以及相關(guān)工藝技術(shù)的研發(fā)， 采用新型電—化學(xué)CMP后清洗技術(shù)，實(shí)現(xiàn)多層布線CMP中要求愈來(lái)愈高的干進(jìn)干出的表面高潔凈化，達(dá)到低排放、節(jié)能、節(jié)水等環(huán)保要求。該項(xiàng)目對(duì)我國(guó)構(gòu)建現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系、發(fā)展低碳經(jīng)濟(jì)具有十分重要的意義。

　　專家組認(rèn)為該校承擔(dān)的項(xiàng)目各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到世界前列。同時(shí)，該校項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)被評(píng)為國(guó)家年度優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)，在承擔(dān)此專項(xiàng)的138個(gè)團(tuán)隊(duì)中，僅有5個(gè)團(tuán)隊(duì)獲此殊榮。自2009年獲得國(guó)家第一期資助資金3265萬(wàn)元開(kāi)始建設(shè)以來(lái)，該項(xiàng)目不僅順利完成了各項(xiàng)任務(wù)指標(biāo)，并且在多個(gè)方面取得了突破和創(chuàng)新，創(chuàng)建了國(guó)內(nèi)首個(gè)化學(xué)機(jī)械平坦化研發(fā)中心，成為擁有近千平米超凈實(shí)驗(yàn)室和超過(guò)千萬(wàn)元實(shí)驗(yàn)設(shè)備的材料超精密加工技術(shù)研發(fā)與人才培養(yǎng)創(chuàng)新平臺(tái);累計(jì)獲得授權(quán)發(fā)明專利44項(xiàng)，其中國(guó)內(nèi)發(fā)明專利41項(xiàng)，國(guó)際發(fā)明專利3項(xiàng)。

　　兩專項(xiàng)總體組領(lǐng)導(dǎo)、任務(wù)驗(yàn)收組專家、財(cái)務(wù)驗(yàn)收組專家、校領(lǐng)導(dǎo)及學(xué)校科學(xué)技術(shù)研究院、財(cái)務(wù)處、信息工程學(xué)院等單位負(fù)責(zé)人參加了驗(yàn)收會(huì)議。驗(yàn)收會(huì)議由02專項(xiàng)技術(shù)總師中科院微電子研究所所長(zhǎng)葉甜春主持。

　　會(huì)上，展永校長(zhǎng)代表學(xué)校致辭。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人劉玉嶺教授代表項(xiàng)目承擔(dān)單位做了工作報(bào)告。與會(huì)專家一致認(rèn)為，項(xiàng)目組全面完成了合同規(guī)定的各項(xiàng)研究?jī)?nèi)容和任務(wù)目標(biāo)，達(dá)到合同規(guī)定的技術(shù)考核指標(biāo)，并取得了多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。研發(fā)出的低壓低磨料和高化學(xué)機(jī)械平坦化速率的拋光液，具有為微電子技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展提供新型化學(xué)機(jī)械平坦化材料的潛力，推動(dòng)了我國(guó)極大規(guī)模集成電路平坦化行業(yè)的科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，一致同意通過(guò)驗(yàn)收。

　　在為期三天的驗(yàn)收工作中，任務(wù)驗(yàn)收組和財(cái)務(wù)驗(yàn)收組分組開(kāi)展驗(yàn)收工作。任務(wù)驗(yàn)收專家組通過(guò)資料審查、現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試、平臺(tái)檢查、質(zhì)疑答辯等環(huán)節(jié)，最終討論形成了任務(wù)驗(yàn)收專家組意見(jiàn)。財(cái)務(wù)驗(yàn)收組查看課題財(cái)務(wù)收支執(zhí)行情況報(bào)告，審查審計(jì)報(bào)告、預(yù)算執(zhí)行情況報(bào)告、財(cái)務(wù)管理制度等，通過(guò)抽查財(cái)務(wù)資料、質(zhì)疑答辯等環(huán)節(jié)，最終經(jīng)討論形成了財(cái)務(wù)驗(yàn)收專家組意見(jiàn)。