MR-2磁阻效應實驗儀
一、概述
磁阻器件由于其靈敏度高、抗干擾能力強等優點在工業、交通、儀器儀表、醫療器械、探礦等領域應用十分廣泛，如：數字式羅盤、交通車輛檢測、導航系統、偽鈔檢別、位置測量等探測器。磁阻器件品種較多，可分為正常磁電阻，各向異性磁電阻，特大磁電阻，巨磁電阻和隧道磁電阻等。其中正常磁電阻的應用十分普遍。銻化銦（InSb）傳感器是一種價格低廉、靈敏度高的正常磁電阻，有著十分重要的應用價值。它可用于制造在磁場微小變化時測量多種物理量的傳感器。本實驗裝置結構簡單，實驗內容豐富，使用兩種材料的傳感器：砷化鎵（GaAs）作為測磁探頭測量電磁鐵氣隙中的磁感應強度，研究銻化銦（InSb）在一定磁感應強度下的電阻，融合霍爾效應和磁阻效應兩種物理現象，具有科學研究的前瞻性，特別適合大學物理實驗。
二、實驗內容
1. 測定通過電磁鐵的勵磁電流IM和電磁鐵氣隙中磁感應強度的關系,觀測GaAs傳感器的霍爾效應。
2. 測量銻化銦傳感器的電阻與磁感應強度的關系。
3. 作出銻化銦傳感器的電阻變化與磁感應強度的關系曲線。對此關系曲線的非線性區域和線性區域分別進行擬合
4. 外接信號發生器，深入研究磁電阻的交流特性（倍頻效應）和觀測其特有的物理現象。
三、主要技術參數
1） 恒流源1：輸出電流0-1A，連續可調，分辨率1mA，三位半數字電流表顯示。
2） 內置InSb電阻用恒流源0-4mA.
3）電壓表：量程±1999.9mV，四位半數字電壓表顯示，分辨率0.1mV。
4）數字毫特儀：量程量程0±1999.9mT，分辨率0.1mT，準確度優于1%FS；四位半數字顯示.