用四探針測量電阻率，可以避免電極接觸電阻對測量結果的影響，因此在國內外早已被廣泛用來測量金屬、半導體、導電高分子材料的電阻率。另外本儀器還在四探針樣品臺兩側加上亥姆霍茲線圈，用其提供一個可調磁場，用來測量磁性金屬薄膜的磁電阻率。
用途：
（1） 金屬、半導體、導電高分子薄膜（塊體）電阻率的測量；
（2） 金屬薄膜材料電阻率的測量（最大厚度0.2毫米）；金屬材料電阻率的測量（最大厚度6毫米）
（3） 磁性合金薄膜的磁電阻測量；
（4） 鐵磁/非磁性/鐵磁三層或多層薄膜的磁電阻測量；
（5） 自旋閥型巨磁電阻薄膜、隧道結型巨磁薄膜的磁電阻測量。
儀器組成：
1、 亥姆霍茲線圈
由亥姆霍茲線圈提供磁場，線圈可在360度范圍內繞樣品旋轉；
四探針組件是由具有引線的四根探針組成。
2、 SB118精密直流電流源
輸出電流在10-6~0.2安培范圍內可調
3、 直流數字電壓表
具有6位半字長、0.1微伏電壓分辨率的帶單片微機處理技術的高精度電子測量儀器。
4、 直流磁場電源
輸出電流在0~10安培